IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IS61WV5128BLL-10KLI
280,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS61WV5128BLL-10KLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: SOJ36
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Ключ: шестигранний; HEX 13мм; Довж.заг: 205мм
Ключ: шестигранний; HEX 13мм; Довж.заг: 205мм

192,60 грн

Загальна довжина:
205мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Розмір ключа:
HEX 13мм
Тип ключа:
шестигранний
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; I2C x3,I2S x3,SPI x3,UART x6
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; I2C x3,I2S x3,SPI x3,UART x6

271,79 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMA; EPMP; PPS
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Перемикач: кулачковий, декілька положень; Фікс.поз: 4; 200А; 60°
Перемикач: кулачковий, декілька положень; Фікс.поз: 4; 200А; 60°

45214,83 грн

Кількість всіх позицій:
4
Кількість полюсів:
2
Кількість фіксованих позицій:
4
Клас герметичності:
IP40 спереду
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0402

0,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 2,133ГГц; -25÷85°C; 1,1÷1,17В
IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 2,133ГГц; -25÷85°C; 1,1÷1,17В

4074,38 грн

Вид пам’яті:
LPDDR4; SDRAM
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,1...1,17В
Пам'ять:
16Гб DRAM
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD