IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 45нс; SSOP48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14B101LA-SP45XIT
1890,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY14B101LA-SP45XIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SSOP48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Вимикач безпеки: блокуючий; NO; IP65; Електр.під'єдн: M20 x3
Вимикач безпеки: блокуючий; NO; IP65; Електр.під'єдн: M20 x3

9984,81 грн

Виходи безпеки:
NC x2; NO x1
Властивості вимикачів безпеки:
без ключа; блокує ключ при подачі напруги
Електричне під'єднування:
M20 x3
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 100В; 1А; Ifsm: 30А; DO204AL,DO41; Ammo Pack
Діод: випрямний; THT; 100В; 1А; Ifsm: 30А; DO204AL,DO41; Ammo Pack

2,96 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DO41; DO204AL
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

2,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
IC: цифровий; fanout buffer,годинник; VQFN48; 1,8В,2,5В,3,3В
IC: цифровий; fanout buffer,годинник; VQFN48; 1,8В,2,5В,3,3В

269,89 грн

Вид об'єднаної схеми:
fanout buffer; годинник
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
VQFN48
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 40ВAC; 63ВDC; 15мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 40ВAC; 63ВDC; 15мм; ±10%; THT

37,38 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
3,3мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
15мм
Недоступний
Провід; UNITRONIC® CY PiDY (TP); 16x2x0,25мм2; тросик; Cu; ПВХ
Провід; UNITRONIC® CY PiDY (TP); 16x2x0,25мм2; тросик; Cu; ПВХ

750,76 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
обплетення з луджених мідних дротів на кожній парі; обплітка з луджених мідних дротів; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM