IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ32; паралельний

Немає в наявності
Код товару: AS7C1024B-12JINTR
233,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C1024B-12JINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

0,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Діод: випрямний; SMD; 800В; 10А; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; SMD; 800В; 10А; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1,1В

76,03 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Кількість в наборі/упаковці:
800шт.
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 18ВDC; Iвих: 8,33А
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 18ВDC; Iвих: 8,33А

6249,37 грн

Вихідна напруга:
18В DC
Вихідний струм:
8,33А
Вхідна напруга:
36...72В DC
Додаткові функції:
дистанційне управління ON/OFF
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 820мкГн; Iробочий: 310мА; R: 2,93Ом; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 820мкГн; Iробочий: 310мА; R: 2,93Ом; ±20%

33,51 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,82мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
2,93Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 156Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 156Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: випрямний; 1,6кВ; 395А; катод на болті; DO205AB,E15; M20x1,5
Діод: випрямний; 1,6кВ; 395А; катод на болті; DO205AB,E15; M20x1,5

7579,84 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
ізольований тросик - силіконовий рукав
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
DO205AB; E15
Монтаж:
гвинтовий
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II

371,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний

508,11 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

1344,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
16Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II

786,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C

245,82 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD