IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ32; паралельний

Немає в наявності
Код товару: AS7C1024B-12TJCNTR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C1024B-12TJCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 300mils
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код B
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код B

1327,93 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PU
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм

33,20 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з одного боку
Довжина:
177мм
Номінальна напруга:
60В
Номінальний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; CQ; 25В
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; CQ; 25В

0,09 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 600ppm/°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 600ppm/°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
IC: PMIC; конвертер; Uвх: 4,5÷60В; Uвих: 12В; PDIP8; buck; 88%
IC: PMIC; конвертер; Uвх: 4,5÷60В; Uвих: 12В; PDIP8; buck; 88%

117,21 грн

Вид об'єднаної схеми:
конвертер
Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
4,5...60В
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1815,77 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,125А
Вхідна напруга:
18...36В DC
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C

554,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C

205,90 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

164,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

127,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM