IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ32; паралельний

Немає в наявності
Код товару: AS7C1024C-12TJINTR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C1024C-12TJINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 5В
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 300mils
Недоступний
Резистор: thin film; 374кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 374кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 169кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 169кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

1,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В; 1А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В; 1А

29,14 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,5В
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Резистор: thick film; 5,36МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 5,36МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; THR,THT; 3A

221,74 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Провід: для живлення; HDGs, HDGsżo FE180/PH120/E90; 3G2,5мм2
Провід: для живлення; HDGs, HDGsżo FE180/PH120/E90; 3G2,5мм2

204,00 грн

Bластивості проводів:
низьке виділення диму
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C

205,90 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

164,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

127,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48

255,32 грн

Вид пам’яті:
PSRAM; асинхронна
Корпус:
FPBGA48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
32Мб SRAM