IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP32; паралельний

Немає в наявності
Код товару: IS61C1024AL-12TLI
338,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS61C1024AL-12TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10A/250ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10A/250ВAC; THT

68,42 грн

Виводи:
до лютування
Висота:
12,5мм
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
28,5x12,5x10,1мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0201

3,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
4,5пФ
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷100А,120А,200А; Клас: 1,5; 96x96мм
Амперметр; на панель; I AC: 0÷100А,120А,200А; Клас: 1,5; 96x96мм

3094,28 грн

Вимір:
струму AC
Властивості вимірювальних приладів:
вказує на найвище досягнуте значення струму; миттєве вимірювання струму
Вхідний струм:
1А; 1,2А; 2А
Клас герметичності:
IP52
Недоступний
Резистор: thin film; 40,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB
Резистор: thin film; 40,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB

12,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

5,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,6пФ
Недоступний
Резистор: power metal; 330Ом; THT; 3Вт; ±5%; 750В; Ø5,2x19,5мм
Резистор: power metal; 330Ом; THT; 3Вт; ±5%; 750В; Ø5,2x19,5мм

13,05 грн

Виводи:
осьові
Властивості резисторів:
висока потужність при малих розмірах
Діаметр:
5,2мм
Довжина:
19,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 619Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 619Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44

118,47 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

196,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C

1828,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1194,88 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2072,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C