IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: R1RP0416DSB-2PR#D1
2072,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2
Код товару: R1RP0416DSB-2PR#D1
Виробник: RENESAS
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Конденсатор: електролітичний; low ESR; 47000мкФ; 40ВDC; Ø50x95мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; 47000мкФ; 40ВDC; Ø50x95мм

1743,54 грн

Виводи:
болтове
Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±20%
Ємність:
47мФ
Недоступний
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 230ВAC,230ВDC; SPST-NO; 4А; 4A/24ВDC
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 230ВAC,230ВDC; SPST-NO; 4А; 4A/24ВDC

1196,78 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Вид виходу:
транзисторний
Зовнішні розміри:
98,5x6,2x85,5мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Резистор: вуглецевий; 1,5Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм
Резистор: вуглецевий; 1,5Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм

1,24 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Резистор: thin film; 30,1кОм; 0805; 100мВт; ±0,1%; PCF; -55÷125°C
Резистор: thin film; 30,1кОм; 0805; 100мВт; ±0,1%; PCF; -55÷125°C

5,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 20,5кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20,5кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C

0,05 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

472,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

94,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн