1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, паралельні

IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 15нс; SOJ32; паралельний

IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 15нс; SOJ32; паралельний
Немає в наявності
Код товару: AS7C1025B-15TJCNTR
449,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C1025B-15TJCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 15нс
Ширіна мікросхеми: 300mils
Недоступний
Резистор: thin film; 909Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 909Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Діод: зенера; 0,365Вт; 6,2В; SMD; SOD123; Ifмакс: 200мА
Діод: зенера; 0,365Вт; 6,2В; SMD; SOD123; Ifмакс: 200мА

0,00 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
6,2В
Корпус:
SOD123
Недоступний
Резистор: thin film; 348кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 348кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,45 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; DO214AB,SMC; SMD; 20В; 3А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; DO214AB,SMC; SMD; 20В; 3А; ролик,cтрічка

5,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100,08Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 4,17А
Перетворювач: DC/DC; 100,08Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 4,17А

6402,06 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
4,17А
Вхідна напруга:
48В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 3,6кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
3,6кОм
Недоступний
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; Uвх: 28В; Iвих: 10А
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; Uвх: 28В; Iвих: 10А

164,72 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер зарядки акумуляторів
Вихідна напруга:
1,8...26В
Вихідний струм:
10А
Вхідна напруга:
28В
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II

371,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний

508,11 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

1344,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
16Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II

786,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C

245,82 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD