IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; SOIC8; -40÷85°C; послідовний

Немає в наявності
Код товару: CY14B101Q2A-SXI
658,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 970
Крок додавання: 970
Код товару: CY14B101Q2A-SXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: послідовний
Частота: 40МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; THT; TO220; 20Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; THT; TO220; 20Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

484,04 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±1%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Резистор: metal film; 42,2кОм; 250мВт; R; -65÷155°C; 15ppm/°C
Резистор: metal film; 42,2кОм; 250мВт; R; -65÷155°C; 15ppm/°C

17,42 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Опір:
42,2кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 5,11кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR
Резистор: thin film; 5,11кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В; -55÷125°C

0,92 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Контейнер; AA,R6; К-сть бат: 2; паяльні пластинки; чорний; UL94V-0
Контейнер; AA,R6; К-сть бат: 2; паяльні пластинки; чорний; UL94V-0

610,11 грн

Виводи:
паяльні пластинки
Кількість батарей:
2
Клас горючості:
UL94V-0
Колір:
чорний
Connector: FFC/FPC; data; tinned; THT; PIN: 5; copper; 1mm; straight
Connector: FFC/FPC; data; tinned; THT; PIN: 5; copper; 1mm; straight

16,47 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
5
Матеріал контакту:
мідь
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 55мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 55мА

433,35 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
55мА
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8

151,42 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба

122,91 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

133,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C