IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; SOIC8; -40÷85°C; послідовний

Немає в наявності
Код товару: CY14E101J2-SXI
657,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 485
Крок додавання: 485
Код товару: CY14E101J2-SXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 4,5...5,5В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: послідовний
Частота: 3,4МГц
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 3,3В; 0,08А; SMD
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 3,3В; 0,08А; SMD

41,18 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
80мА
Недоступний
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА

665,23 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
0,25А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
LED; 3мм; зелений; 1560÷2180мкд; 40°; Голівка: опукла; 2,9÷3,4ВDC
LED; 3мм; зелений; 1560÷2180мкд; 40°; Голівка: опукла; 2,9÷3,4ВDC

40,55 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
520...530нм
Кількість виводів:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 806Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 806Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

163,46 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8

151,42 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба

122,91 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

133,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI