IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: AS7C31026B-12TINTR
422,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C31026B-12TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 16Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 12нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,9пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Connector: wire-board; socket; female; data; 5A; 250V; PIN: 22; 3mm
Connector: wire-board; socket; female; data; 5A; 250V; PIN: 22; 3mm

78,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
22
Недоступний
Резистор: thick film; 38,3Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 38,3Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP6WF
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP6WF

4,94 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: поліпропиленовий; 3,3нФ; 13x4x9мм; 10мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 3,3нФ; 13x4x9мм; 10мм

9,95 грн

Виводи:
радіальні
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Ємність:
3,3нФ
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 50ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TPS
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 50ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TPS

37,38 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
3,3мкФ
Корпус:
C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD