IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 15нс; TSOP44 II; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C1026B-15TIN
344,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C1026B-15TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 16Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 15нс
Недоступний
EMobility: кабель; 2x13мм2,5x25мм2,7x0,75мм2; 1кВDC; 700кВт; IP54
EMobility: кабель; 2x13мм2,5x25мм2,7x0,75мм2; 1кВDC; 700кВт; IP54

269913,53 грн

Використання:
зарядка електромобілів
Відповідність стандарту:
IEC 62196-3-1; IEC 62893; SAE J1772; UL 62
Властивості з’єднувального кабелю:
Boost-Mode
Довжина кабелю:
6м
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%; 200В
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%; 200В

5,51 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±0,1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
Резистор: thick film; 1,91кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 1,91кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: NPN; біполярний; 32В; 0,1А; 250мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: NPN; біполярний; 32В; 0,1А; 250мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
32В
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 7,32кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 7,32кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 20ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 20ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; -55÷125°C

24,90 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
33мкФ
Корпус:
C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD