IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 10нс; SOJ44; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1021D-10VXIT
147,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 500
Код товару: CY7C1021D-10VXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOJ44
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 4,5...5,5В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 100мкФ; 16ВDC; Ø8x10мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 100мкФ; 16ВDC; Ø8x10мм

19,32 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10мм
Властивості конденсаторів:
висока довговічність; висока надійність
Діаметр:
8мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 4,1А; ±20%; Isat: 3,7А
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 4,1А; ±20%; Isat: 3,7А

47,52 грн

Висота:
3мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR

1002,92 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
помаранчевий
Недоступний
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,9пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 180Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C

0,16 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
180Ом
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM