IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS61WV6416EEBLL-10BLI
171,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS61WV6416EEBLL-10BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 2000кБ; 200МГц; SMD; LFBGA169; PIC32; лоток
IC: мікроконтролер PIC; 2000кБ; 200МГц; SMD; LFBGA169; PIC32; лоток

781,81 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; HLVD; PMP; PoR
Інтерфейс:
ADC; I2C; I2C x5; I2S; SPI; SPI x6; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
120
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; NS; 75В
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; NS; 75В

0,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 3,2А; 56,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 3,2А; 56,5Вт; TO252

31,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 1м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 1м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON

5693,11 грн

Дальність:
1м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67; IP68; IP69K
Конфігурація виходу:
PNP
Недоступний
Маркер: кабельний; Маркування: 7; 3,2÷4,5мм; POM; білий; PLIOSNAP
Маркер: кабельний; Маркування: 7; 3,2÷4,5мм; POM; білий; PLIOSNAP

1289,92 грн

Зовнішній діаметр проводу:
3,2...4,5мм
Клас горючості:
UL94HB
Колір:
білий
Колір друкованого знаку:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RED
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RED

0,82 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM