IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS64WV6416DBLL-10CTLA3
338,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 135
Крок додавання: 135
Код товару: IS64WV6416DBLL-10CTLA3
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 3,83кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 3,83кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 200ВDC; Ø10x14мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 200ВDC; Ø10x14мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
14мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 60,4Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 60,4Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 140А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 140А; 600Вт; TO247-3

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
155нКл
Корпус:
TO247-3
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 52; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 52; THT; 3A; vertical; 2.54mm

265,46 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
52
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Роз’єм: M16; вилка; PIN: 2; штекерний; промислова; 723; 250В; прямий
Роз’єм: M16; вилка; PIN: 2; штекерний; промислова; 723; 250В; прямий

886,98 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Зовнішній діаметр проводу:
4...6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 90,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 90,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44

118,47 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

196,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит