IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II; 0÷70°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C31026B-12TCNTR
303,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C31026B-12TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
Резистор: thick film; 1,54кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,54кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 7,5кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
7,5кОм
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 67мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 67мА

791,94 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
67мА
Вхідна напруга:
4,5...18В DC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 3ВDC; DPDT; 2А; 0,3A/125ВAC; SMT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 3ВDC; DPDT; 2А; 0,3A/125ВAC; SMT

84,26 грн

Зовнішні розміри:
15,2x7,7x9,7мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
2А
Матеріал контакту:
AgPd/Au 0,2мкм
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 66мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 66мА

164,72 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
66мА
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Кристал; 50МГц; SMD; 12,7x4,8x3,8мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 50МГц; SMD; 12,7x4,8x3,8мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm

10,39 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C

205,90 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

164,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

127,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48

255,32 грн

Вид пам’яті:
PSRAM; асинхронна
Корпус:
FPBGA48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
32Мб SRAM