IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 20нс; SOJ44; 400mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C31026B-20JCNTR
237,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C31026B-20JCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ44
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 20нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Резистор: thick film; 909кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 909кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: metal film; THT; 845кОм; 250мВт; ±0,1%; 15ppm/°C; осьові
Резистор: metal film; THT; 845кОм; 250мВт; ±0,1%; 15ppm/°C; осьові

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±0,1%
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 160; vertical,straight; SMT; LCP
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 160; vertical,straight; SMT; LCP

1462,88 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
160
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,1пФ
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 20А; CB; 2Вт; 15мс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 20А; CB; 2Вт; 15мс

296,50 грн

Виводи:
конектори
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
26x22x25мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Резистор: thick film; 45,3кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 45,3кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

0,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II

371,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний

508,11 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

1344,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
16Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II

786,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C

245,82 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C

1077,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C