IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 45нс; TSOP44 II; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14B101NA-ZS45XIT
1890,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY14B101NA-ZS45XIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 100ВDC; BP; 3,2x1,6x1,3мм
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 100ВDC; BP; 3,2x1,6x1,3мм

77,93 грн

Діелектрик:
BP
Ємність:
10пФ
Робоча напруга:
100В DC
Розміри корпусу:
3,2x1,6x1,3мм
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 10А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 10А

2438,55 грн

Alias:
RSV1,6 LS24 GR 3,2 AU
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
11,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 12,7Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12,7Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; 16А; 16A/250ВAC; PCB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; 16А; 16A/250ВAC; PCB

0,00 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. напруга котушки:
49,4В DC
Макс. струм контактів:
16А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 4,02Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 4,02Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

1,19 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 1,87кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,87кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28

446,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32

577,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD