IC: пам'ять SRAM; 256кБSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: 23K256-I/ST
69,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 100
Код товару: 23K256-I/ST
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 25нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1812

13,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Конденсатор: танталовий; 10мкФ; 6,3ВDC; SMD; K; 1206; ±20%; TLC
Конденсатор: танталовий; 10мкФ; 6,3ВDC; SMD; K; 1206; ±20%; TLC

383,93 грн

Діаметр роліка макс.:
108мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Корпус:
K
Недоступний
Радіатор: штампований; ребристий; для інверторів; L: 57,9мм
Радіатор: штампований; ребристий; для інверторів; L: 57,9мм

179,30 грн

Використання:
для інверторів
Висота:
11,4мм
Довжина:
57,9мм
Матеріал:
алюміній
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HV; 2кВ
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HV; 2кВ

2,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
3кВ
Корпус - дюйм:
2010
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 32А; Фікс.поз: 2
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 32А; Фікс.поз: 2

5974,41 грн

Властивості перемикачів:
блокується навісним замком
Кількість полюсів:
3
Кількість фіксованих позицій:
2
Максимальна потужність:
15кВт
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

2925,75 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,833А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В

13,62 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Вихідна напруга:
3,3В
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C