1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, послідовн

IC: пам'ять SRAM; 256кБSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷85°C

IC: пам'ять SRAM; 256кБSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷85°C
Немає в наявності
Код товару: 23K256-I/ST
69,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 100
Код товару: 23K256-I/ST
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 25нс
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; HP; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; HP; 300В; -55÷155°C

4,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
PIN: 1; вертикальне; на PCB; Контакти: берилієва мідь,латунь
PIN: 1; вертикальне; на PCB; Контакти: берилієва мідь,латунь

36,62 грн

Зовнішній діаметр проводу:
3,18мм
Кількість пін:
1
Матеріал контакту:
берилієва мідь; латунь
Механічний монтаж:
на PCB
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 866Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 866Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷72ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 3А
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷72ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 3А

1052,97 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
18...72В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 437А; 500Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 437А; 500Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
99нКл
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,8В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,8В

6,53 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,8В
Вихідний струм:
0,15А
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

163,46 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8

151,42 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба

122,91 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

133,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI