IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 25нс; TSOP44 II; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: CY14B256LA-ZS25XIT
1019,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY14B256LA-ZS25XIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 25нс
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В

45,62 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
0,2А
Недоступний
Резистор: thin film; 36,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 36,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 10; гніздовий; промислова; прямий; 7,5А
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 10; гніздовий; промислова; прямий; 7,5А

4260,02 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
10
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 50Ом; SMD; 3,5А; 1206; R: 15мОм; BLM
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 50Ом; SMD; 3,5А; 1206; R: 15мОм; BLM

17,11 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
50Ом
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 4,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 4,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,82 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44

118,47 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

196,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит