IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

Немає в наявності
Код товару: R1RW0416DSB-2PR#D1
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: R1RW0416DSB-2PR#D1
Виробник: RENESAS
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
Зчитувач RFID; 4,3÷5,5В; USB; антена; Дальність: 100мм; 120мА; ABS
Зчитувач RFID; 4,3÷5,5В; USB; антена; Дальність: 100мм; 120мА; ABS

0,00 грн

Властивості модулів зв'язку:
антена
Дальність:
0,1м
Довжина кабелю:
2м
Інтерфейс:
USB
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; 5ВDC; Iвих max: 5А; Вих: USB C вилка
Блок живлення: імпульсний; 5ВDC; Iвих max: 5А; Вих: USB C вилка

2888,37 грн

Вид блоку живлення:
мережевий; настільний
Вид вихідного з'єднання:
USB C вилка
Вид вхідного роз'єму:
IEC C6
Вихідна напруга:
5В DC; 9В DC; 12В DC; 15В DC; 20В DC; 28В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 750пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 750пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Вимикач потужності; Полюси: 3; гвинтовий; Iном: 400А; IP20; 690ВAC
Вимикач потужності; Полюси: 3; гвинтовий; Iном: 400А; IP20; 690ВAC

67464,60 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
50кА
Діапазон налаштування захисту:
320...400А
Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP20
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; 2,5А; PIN: 3; прямий; 1мм
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; 2,5А; PIN: 3; прямий; 1мм

8,87 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
3
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HP; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 43,2÷52,8ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 43,2÷52,8ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА

323,11 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
43,2...52,8В DC
Зовнішні розміри:
19,65x6,15x10,15мм
IC: пам'ять SRAM; 64Кx16бит; 12нс; SOJ44; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 64Кx16бит; 12нс; SOJ44; паралельний; 0÷70°C

127,98 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C

1941,84 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44

425,75 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C

554,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C

205,90 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD