IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS62WV12816BLL-55BLI
202,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS62WV12816BLL-55BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Вентилятор: DC; 172x150x51мм; осьовий; 24ВDC; 510м3/г; 52дБА
Вентилятор: DC; 172x150x51мм; осьовий; 24ВDC; 510м3/г; 52дБА

4904,97 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Розгалуджувач; HDMI 1.4; 3D,HDCP 1.3,UHD 2160p; 1,5м; чорний
Розгалуджувач; HDMI 1.4; 3D,HDCP 1.3,UHD 2160p; 1,5м; чорний

1513,56 грн

Вид вихідного з'єднання:
HDMI гніздо x2
Вид вхідного роз'єму:
DC гніздо; HDMI гніздо
Властивості переходу:
стан режиму роботи: LED
Довжина кабелю:
1,5м
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJU08F
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJU08F

1,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 87А; 182Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 87А; 182Вт

733,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Трансформатор: литий; 6,3÷12,6В; LP; 47,5x39,6x21,6мм
Трансформатор: литий; 6,3÷12,6В; LP; 47,5x39,6x21,6мм

515,08 грн

Вторинна напруга 1:
6,3...12,6В
Зовнішні розміри:
47,5x39,6x21,6мм
Монтаж:
THT
Розмір А:
47,5мм
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230ВAC; IP40
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230ВAC; IP40

3083,51 грн

Вид вимикача:
тип A
Відповідність стандарту:
IEC EN 61008-1
Диференціальний струм:
0,3А
Електрична стійкість:
10000 цикли
Недоступний
Резистор: thick film; 2,37кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 2,37кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44

118,47 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

196,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит