1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, послідовн

IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 1,7÷3,6В; 143МГц; SOIC8; туба

IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 1,7÷3,6В; 143МГц; SOIC8; туба
Немає в наявності
Код товару: 23AA02M-I/SN
161,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 23AA02M-I/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Інтерфейс: SDI; SPI; SQI
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 1,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Структура пам'яті: 256Кx8бит
Тактова частота: 143МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: послідовний
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; NQ; 25В
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; NQ; 25В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 1.5A

305,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Напівботи; Розмір: 47; білий; мікрофібра; ковзання,удари
Напівботи; Розмір: 47; білий; мікрофібра; ковзання,удари

1580,72 грн

Відповідність стандарту:
CE; EN ISO 20344:2011; EN ISO 20345:2011
Колір:
білий
Матеріал:
мікрофібра
Модель:
з металевим носком
Недоступний
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; HQ; 200В

2,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 22мОм; SMD; 2512; 3Вт; ±1%; -55÷170°C
Резистор: thick film; 22мОм; SMD; 2512; 3Вт; ±1%; -55÷170°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
6,4x3,2x0,65мм
Корпус - дюйм:
2512
Діод: випрямний; SMD; 1,6кВ; 8А; DPAK; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 150А; туба
Діод: випрямний; SMD; 1,6кВ; 8А; DPAK; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 150А; туба

159,66 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; високовольтний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Кількість в наборі/упаковці:
75шт.
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 8,1÷9,9ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 112мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 8,1÷9,9ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 112мА

190,07 грн

Використання:
IoT; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
112мА
Вхідна напруга:
8,1...9,9В DC
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

163,46 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8

151,42 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба

122,91 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

133,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI