IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36

Немає в наявності
Код товару: IS64WV2568EDBLL-10BLA3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS64WV2568EDBLL-10BLA3
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA36
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 256Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 13мм; 3/8"; IMPAKTOR
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 13мм; 3/8"; IMPAKTOR

352,89 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Довжина насадки:
30мм
Розмір гнізда:
HEX 13мм
Недоступний
Етикетка; 50мм; срібний; FLEXIMARK®; H: 25000мм; -40÷90°C
Етикетка; 50мм; срібний; FLEXIMARK®; H: 25000мм; -40÷90°C

48682,90 грн

Висота:
25000мм
Кількість етикеток:
750шт.
Колір:
срібний
Матеріал:
піна
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,7пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,7пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; 0201

1,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
0,7пФ
Недоступний
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 3; 10А; HAND-0-AUTO; Полюси: 1
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 3; 10А; HAND-0-AUTO; Полюси: 1

2674,86 грн

Кількість всіх позицій:
3
Кількість полюсів:
1
Кількість фіксованих позицій:
3
Клас герметичності:
IP65 спереду
Недоступний
Резистор: thick film; 1,21МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,21МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Корпус - дюйм:
0201
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils

180,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

724,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD