1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSP315PH6327XTSA1
53,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSP315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: -1,17А
Технологія: SIPMOS™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 816Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 816Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

1,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD