IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3,3В; 55нс; SOP32; 450mils

Немає в наявності
Код товару: AS6C2008-55SINTR
237,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS6C2008-55SINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: SOP32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Ширіна мікросхеми: 450mils
Недоступний
Резистор: thick film; 93,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 93,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,04 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,8пФ
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 220нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 220нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±10%

51,95 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Застосування конденсаторів:
між полюсами живлення
Недоступний
Діод: TVS; 15,2В; 22,4А; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 15,2В; 22,4А; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

3974,92 грн

Зворотна напруга макс.:
12,2В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
15,2В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0603

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 56В; DO41; 250нА; Ufmax: 1В
Діод: зенера; 1,5Вт; 56В; DO41; 250нА; Ufmax: 1В

1559,81 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
56В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Резистор: thin film; 1,62кОм; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1,62кОм; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

3,66 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
1,62кОм
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

357,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C

1941,84 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44

425,75 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C

554,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C

205,90 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT