IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 10нс; SOJ44; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1041G30-10VXIT
497,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 500
Код товару: CY7C1041G30-10VXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOJ44
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Connector: wire-board; contact; male; data; Inom: 2A; 100V; PIN: 1
Connector: wire-board; contact; male; data; Inom: 2A; 100V; PIN: 1

58,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Connector: IDC; male; data; PIN: 10; Quickie; angled; 2.54mm; UL94V-0
Connector: IDC; male; data; PIN: 10; Quickie; angled; 2.54mm; UL94V-0

305,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
10
Кількість рядів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 26,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 26,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Конденсатор: поліестровий; 47нФ; 160ВAC; 250ВDC; 5мм; ±5%; THT
Конденсатор: поліестровий; 47нФ; 160ВAC; 250ВDC; 5мм; ±5%; THT

19,01 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
47нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама" кутовий
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама" кутовий

1716,30 грн

Довжина проводу:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Конструкція кабелю/переходу:
М12 "мама" кутовий; М12 "папа"
Недоступний
Резистор: thin film; 4,64кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 4,64кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils

310,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

973,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32

280,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

480,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT