IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: CY7C1041G30-10ZSXIT
259,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY7C1041G30-10ZSXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 230ВAC,400ВAC; 48В; гвинтовий
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 230ВAC,400ВAC; 48В; гвинтовий

3163,97 грн

Виводи:
затискна планка
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6
Вторинна напруга 1:
48В
Додаткові функції:
відгалуження первинної обмотки ±15 В
Недоступний
Затискна обійма; L: 610мм; W: 13,2мм; поліпропілен
Затискна обійма; L: 610мм; W: 13,2мм; поліпропілен

298,40 грн

Довжина:
0,61м
Матеріал обійми:
поліпропілен
Стійкість до:
промені УФ
Тип аксесуарів до кабелів:
затискна обійма
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 82В; SMD; 50нА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 82В; SMD; 50нА; ролик,cтрічка

8421,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
82В
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 24В; DO35; 500нА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 24В; DO35; 500нА; Ufmax: 1,1В

340,22 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
24В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: PMIC; Uвх: 4÷40В; Uробоча: 4÷40В; Uвих: 12В; TO263-5; buck
IC: PMIC; Uвх: 4÷40В; Uробоча: 4÷40В; Uвих: 12В; TO263-5; buck

74,76 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
4...40В
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; ERA3VEB
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; ERA3VEB

8,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Модуль автоматики: softstart; на шину DIN; 11кВт; 1÷10/1÷10с; 22А
Модуль автоматики: softstart; на шину DIN; 11кВт; 1÷10/1÷10с; 22А

13369,88 грн

Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Монтаж:
на шину DIN
Постійний номінальний струм:
22А
Потужність двигуна макс.:
11кВт
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM