IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 10нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1041G30-10BVJXI
216,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2400
Крок додавання: 2400
Код товару: CY7C1041G30-10BVJXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II

238,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
Недоступний
Резистор: thin film; 18кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 18кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

9,82 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 499Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; 200В
Резистор: thick film; 499Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; 200В

0,57 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 1,74Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В
Резистор: thick film; 1,74Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В

6,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 22МГц; Ch: 1; ±4÷18ВDC; VSSOP8; 0,15мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 22МГц; Ch: 1; ±4÷18ВDC; VSSOP8; 0,15мВ

589,20 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,15мВ
Вхідний поляризаційний струм:
5нА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Вентилятор: DC; 20x20x6мм; осьовий; 5ВDC; 1,87м3/г; 24,5дБА; Vapo
Вентилятор: DC; 20x20x6мм; осьовий; 5ВDC; 1,87м3/г; 24,5дБА; Vapo

283,83 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
Vapo
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils

180,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

724,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 5В; 12нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 5В; 12нс; SOJ44; 400mils

404,21 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C