IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS61WV6416BLL-12TLI-TR
238,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IS61WV6416BLL-12TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
Резистор: thin film; 18кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 18кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

9,82 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 499Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; 200В
Резистор: thick film; 499Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; 200В

0,57 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 1,74Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В
Резистор: thick film; 1,74Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В

6,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 22МГц; Ch: 1; ±4÷18ВDC; VSSOP8; 0,15мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 22МГц; Ch: 1; ±4÷18ВDC; VSSOP8; 0,15мВ

589,20 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,15мВ
Вхідний поляризаційний струм:
5нА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Вентилятор: DC; 20x20x6мм; осьовий; 5ВDC; 1,87м3/г; 24,5дБА; Vapo
Вентилятор: DC; 20x20x6мм; осьовий; 5ВDC; 1,87м3/г; 24,5дБА; Vapo

283,83 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
Vapo
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,35мм
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM