IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 10нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1041G30-10BAJXET
449,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY7C1041G30-10BAJXET
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 7,68кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 7,68кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 294кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 294кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; однофазний; 250ВAC; Cx: 1мкФ; Cy: 0,47нФ
Фільтр: проти перешкод; однофазний; 250ВAC; Cx: 1мкФ; Cy: 0,47нФ

2553,86 грн

Виводи:
конектори
Вид фільтру:
однофазний
Ємність Cx:
1мкФ
Ємність Cy:
0,47нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 291Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 291Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; 250В; прямий
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; 250В; прямий

155,85 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
3
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; Iном: 18А; 600В; прямий
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; Iном: 18А; 600В; прямий

3,85 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Зовнішній діаметр проводу:
2,3...3,5мм
Максимальний струм:
18А
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; R47 X2; 22нФ; 1кВDC; 440ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; R47 X2; 22нФ; 1кВDC; 440ВAC

46,88 грн

Вид конденсатора:
X2
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
25мм
Допуск:
±10%
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD