IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TR
607,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B

2,61 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 63В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 63В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

17,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 4,5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 4,5В

11,40 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вихідна напруга:
4,5В
Вихідний струм:
0,45А
Вхідна напруга:
1,9...5,5В
Недоступний
Резистор: thin film; 160Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 160Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,27 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 32В; SMD6
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 32В; SMD6

0,00 грн

Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28

446,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32

577,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD