IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS61WV25616EDBLL-10BLI
273,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS61WV25616EDBLL-10BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1595,92 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,335А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 787Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; TC; 25В
Резистор: thin film; 787Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; TC; 25В

0,52 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; 3,43x2,8x1,19мм; SMD; 200мА; 30ВDC
Запобіжник: полімерний PTC; 3,43x2,8x1,19мм; SMD; 200мА; 30ВDC

2,48 грн

Вид запобіжника:
мініатюрний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Відповідність стандарту:
CE; CSA; UL
Застосування запобіжників:
автомобільні застосування; електронні додатки
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 120ВDC; DPDT; 20А; 10A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 120ВDC; DPDT; 20А; 10A/250ВAC

4618,61 грн

Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Зовнішні розміри:
73x38,2x85,4мм
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Реактор: дротяний; THT; L: 7мГн; 5А; Інд.один.обм: 7мГн; 23,012мм
Реактор: дротяний; THT; L: 7мГн; 5А; Інд.один.обм: 7мГн; 23,012мм

204,00 грн

Висота:
23,012мм
Індуктивність:
7мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
7мГн
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD