IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS64WV25616EDBLL-10BLA3
607,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS64WV25616EDBLL-10BLA3
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Діод: випрямний Шотткі; PowerDI®123; Trench SBR®; SMD; 40В; 3А
Діод: випрямний Шотткі; PowerDI®123; Trench SBR®; SMD; 40В; 3А

26,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
40В
Корпус:
PowerDI®123
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 1; 1,8÷5,5ВDC; TDFN8; 2мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 1; 1,8÷5,5ВDC; TDFN8; 2мкВ

97,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
auto-zero; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Контактний елемент; 84; IP40; проводи; 300мм; Контакти: NO; 24ВDC
Контактний елемент; 84; IP40; проводи; 300мм; Контакти: NO; 24ВDC

964,27 грн

Виводи:
проводи
Довжина відводів:
0,3м
Застосування - серія/виробник:
84
Клас герметичності:
IP40
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; M12 ALTW; метал
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; M12 ALTW; метал

460,59 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
1м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Резистор: thick film; 22,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Patch cord; SF/UTP; Cat 5e; проводи,RJ45 вилка; 1,5м; тросик; Cu
Patch cord; SF/UTP; Cat 5e; проводи,RJ45 вилка; 1,5м; тросик; Cu

1384,95 грн

Bластивості проводів:
жили, зкручені четвірками
Будова екрану:
обплітка з мідного дроту; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD