IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 20нс; TSOP44 II; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: CY14B104NA-ZS20XI
2487,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 270
Крок додавання: 270
Код товару: CY14B104NA-ZS20XI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 20нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

2,55 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
6,3x3,15x0,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
75пФ; 500ВDC; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷125°C
75пФ; 500ВDC; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷125°C

120,38 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±5%
Ємність:
75пФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 8,25Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 8,25Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

43,08 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,8пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 634Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 634Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM