IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 25нс; TSOP44 II; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: CY14B104NA-ZS25XIT
2515,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY14B104NA-ZS25XIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 25нс
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 500В; X7R; ±5%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 500В; X7R; ±5%; SMD; 1812

25,98 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
1812
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 3,33А
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 3,33А

2263,69 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
3,33А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OLP
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 330мкФ; 35ВDC; Ø8x10,2мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 330мкФ; 35ВDC; Ø8x10,2мм; ±20%

18,56 грн

Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 150мкФ; 6,3ВDC; Ø6,3x5,4мм
Конденсатор: електролітичний; SMD; 150мкФ; 6,3ВDC; Ø6,3x5,4мм

3,45 грн

Висота:
5,4мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
150мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1,5А
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1,5А

598,71 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
1,5А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; макс. струму OCP; мінімальна напруга UVP; проти короткого замикання OVP
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44

118,47 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

196,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит