IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 8нс; TFBGA48; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR
312,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 8нс
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 4А; 30нс; MELF; Ufmax: 1,35В; Ifsm: 75А
Діод: випрямний; SMD; 200В; 4А; 30нс; MELF; Ufmax: 1,35В; Ifsm: 75А

863,53 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
MELF
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кристал; 16МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±20ppm
Кристал; 16МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±20ppm

15,33 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 55В; SMD4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 55В; SMD4

0,00 грн

Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Відповідність стандарту:
VDE
Зворотна напруга макс.:
5В
Недоступний
Резистор: thin film; 332Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 332Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,58 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 2,37Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,37Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2,37Ом
Резистор: thick film; 243Ом; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 243Ом; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF; 100ppm/°C

5,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD