IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: CY7C1041GN-10ZSXI
370,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CY7C1041GN-10ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 4,5...5,5В
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; 800В
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; 800В

273,06 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Клас горючості:
UL94V-0
Матеріал контакту:
сплав міді
Номінальна напруга:
0,8кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,07Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,07Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
1,07Ом
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 100МГц; Ch: 1; SOT23-5; 10мВ; IB: 50пА
IC: Oпераційний підсилювач; 100МГц; Ch: 1; SOT23-5; 10мВ; IB: 50пА

125,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
high speed; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мВ
Вхідний поляризаційний струм:
50пА
Недоступний
Резистор: thick film; 13мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 13мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CS; -55÷155°C

4,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thin film; 470Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; RN73R; 150В
Резистор: thin film; 470Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; RN73R; 150В

2,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 3A; 250V

258,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 250мВт; Uвх: 5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 20,8мА
Перетворювач: DC/DC; 250мВт; Uвх: 5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 20,8мА

169,16 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
20,8мА
Вхідна напруга:
5В DC
Зовнішні розміри:
11,68x6x12,19мм
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD