IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 45нс; TSOP54 II; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: CY14B104NA-ZSP45XI
1884,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 216
Крок додавання: 216
Код товару: CY14B104NA-ZSP45XI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

1,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Tap: metric-set; M42; metric; 4.5; L: 150mm; Holder: square,hand
Tap: metric-set; M42; metric; 4.5; L: 150mm; Holder: square,hand

8769,65 грн

Type of tap:
metric - set
Вид різьблення:
метрична
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
алюміній; пластмаса; сталь
Недоступний
Резистор: thin film; 189Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 189Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

6,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 8÷75ВDC; Uвих: 8÷75ВDC; SSOP28; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 8÷75ВDC; Uвих: 8÷75ВDC; SSOP28; SMD

503,68 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
8...75В DC
Вхідна напруга:
8...75В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 30,9кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 30,9кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

164,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

127,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48

255,32 грн

Вид пам’яті:
PSRAM; асинхронна
Корпус:
FPBGA48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
32Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32

81,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,2÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,2÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

302,21 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM