IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 45нс; TSOP54 II; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: CY14B104NA-ZSP45XIT
1884,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY14B104NA-ZSP45XIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Провід: спіральний; ÖLFLEX® SPIRAL 400 P; 3G1мм2; неекранований
Провід: спіральний; ÖLFLEX® SPIRAL 400 P; 3G1мм2; неекранований

926,26 грн

Bластивості проводів:
велика повертаюча сила; кінцеві ділянки прямі 200/600мм
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 25x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 25x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

23603,04 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Недоступний
Викрутка: стандартний; Torx®; TX10; Morphos; Довж.леза: 80мм; хром
Викрутка: стандартний; Torx®; TX10; Morphos; Довж.леза: 80мм; хром

518,25 грн

Властивості викруток:
захист від скачування; протиковзке покриття рукоятки; трикомпонентна рукоятка; фосфатована голівка
Довжина леза:
80мм
Загальна довжина:
189мм
Матеріал покриття:
хром
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 10,2кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 10,2кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,1пФ
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 100мкФ; 10ВDC; D; 2917; SMD
Конденсатор: танталово-полімерний; 100мкФ; 10ВDC; D; 2917; SMD

31,80 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
D
Корпус - дюйм:
2917
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM