IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 55нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY62147EV18LL-55BVXIT
178,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY62147EV18LL-55BVXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,65...2,25В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP6
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP6

32,94 грн

CTR@If:
160-320%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,9пФ
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 1; WLCSP5; 65мкВ; IB: 0,25нА
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 1; WLCSP5; 65мкВ; IB: 0,25нА

66,52 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; низький рівень шуму; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
65мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,25нА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 25В; X8R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 25В; X8R; ±10%; SMD; 1210

18,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
Наконечник ключа; динамометрична,накидний; Ключ: 55мм
Наконечник ключа; динамометрична,накидний; Ключ: 55мм

56746,78 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Вид ключа:
динамометрична; накидний
Використання інструментів:
динамометричний ключ
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

804,61 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,42А
Вхідна напруга:
9...36В DC
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28

446,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32

577,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD