IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1049G30-10ZSXI
302,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 135
Крок додавання: 135
Код товару: CY7C1049G30-10ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 23,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 23,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 230ВAC; 12В; Вив: затискна планка
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 230ВAC; 12В; Вив: затискна планка

4168,78 грн

Виводи:
затискна планка
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-4; PN EN 61558-2-6
Вторинна напруга 1:
12В
Зовнішні розміри:
76x142x64мм
Недоступний
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85x0,45мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 4В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 4В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 1мФ; 16ВDC; Ø10x16мм; Растр: 5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 1мФ; 16ВDC; Ø10x16мм; Растр: 5мм

3,39 грн

Висота:
16мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

10,14 грн

Alias:
KGM05ACG1H390FH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Реактор: film; SMD; 01005; 2,2нГн; 380мА; R: 0,3Ом; LQP; 180мм
Реактор: film; SMD; 01005; 2,2нГн; 380мА; R: 0,3Ом; LQP; 180мм

1,05 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
2,2нГн
Корпус - дюйм:
01005
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD