1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, паралельні

IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36

IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36
Немає в наявності
Код товару: IS61WV5128EDBLL-10BLI
269,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS61WV5128EDBLL-10BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA36
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 243Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 243Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
IC: PMIC; контролер PWM; 110÷170кГц; Ch: 1; SO8; boost; 4÷18В; 0÷99%
IC: PMIC; контролер PWM; 110÷170кГц; Ch: 1; SO8; boost; 4÷18В; 0÷99%

5,96 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер PWM
Використання:
для додатків зі LED
Кількість каналів:
1
Коефіцієнт заповнення:
0...99%
Недоступний
Дисплей: TFT; 3,2"; 240x320; 32кБRAM,192кБFLASH; 257кд/м2; FFC/FPC
Дисплей: TFT; 3,2"; 240x320; 32кБRAM,192кБFLASH; 257кд/м2; FFC/FPC

3454,14 грн

Cенсорна панель:
опору
Вид дисплея:
графічний
Властивості дисплеїв:
CRC; NeoPixel; вихід PWM; імпульсний вихід; кард-рідер microSD; квадратурний вхід
Діагональ екрану:
3,2"
Недоступний
Резистор: thick film; 681Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 681Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
681Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 10ВDC; X5R; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 10ВDC; X5R; ±20%; SMD; 1210

36,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Конденсатор: електролітичний; 30мФ; 100ВDC; Растр: 25мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; 30мФ; 100ВDC; Растр: 25мм; ±20%

1705,53 грн

Діаметр:
50мм
Допуск:
±20%
Ємність:
30мФ
Імпеданс:
12мОм
Недоступний
Резистор: дротяний; керамічний; 3,3кОм; 4Вт; ±5%; 25x6,4x6,4мм
Резистор: дротяний; керамічний; 3,3кОм; 4Вт; ±5%; 25x6,4x6,4мм

Виводи:
осьові
Вид резистора:
керамічний
Використання:
для провід
Довжина:
25мм
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD