IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS64WV5128BLL-10CTLA3
658,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 135
Крок додавання: 135
Код товару: IS64WV5128BLL-10CTLA3
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5,3кВ; Uce: 55В; SMD4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5,3кВ; Uce: 55В; SMD4

16,85 грн

Вид виходу:
транзисторний
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SMD4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 25В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 25В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005

1,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
3,8пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 53Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 53Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C

0,50 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Connector: PCB to PCB; plug; male; data; PIN: 16; angled; Inom: 1A
Connector: PCB to PCB; plug; male; data; PIN: 16; angled; Inom: 1A

293,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
16
IC: цифровий; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷5,5ВDC; VHC
IC: цифровий; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷5,5ВDC; VHC

22,17 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид затвору:
NOT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
hex; 6
Недоступний
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; ERJP03F
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; ERJP03F

1,34 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD