IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: AS7C34096A-10TINTR
293,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C34096A-10TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thick film; 348Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 348Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
348Ом
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; POWER; PIN: 8
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; POWER; PIN: 8

6,78 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Зовнішній діаметр проводу:
1,3...1,7мм
Кількість пін:
8
Конденсатор: електролітичний; 47000мкФ; 40ВDC; Растр: 22мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; 47000мкФ; 40ВDC; Растр: 22мм; ±20%

2752,79 грн

Виводи:
болтове
Висота:
98,5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мФ
Реактор: феритовий; SMD; 1мГн; 1,17А; R: 1,2Ом; ±20%; PISTHV
Реактор: феритовий; SMD; 1мГн; 1,17А; R: 1,2Ом; ±20%; PISTHV

150,79 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
1,2Ом
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 35В; Urmax: 6В
Оптрон; THT; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 35В; Urmax: 6В

62,09 грн

CTR@If:
200-400%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.57mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.57mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,57мм
Реактор: дротяний; SMD; 50нГн; R: 280мкОм; ±20%; 35x11x5мм; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 50нГн; R: 280мкОм; ±20%; 35x11x5мм; ферит

311,07 грн

Висота:
5мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
50нГн
Матеріал стержня:
ферит
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II

371,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний

508,11 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

1344,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
16Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II

786,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C

245,82 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C

1077,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C