IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II; 0÷70°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C34096A-12TCNTR
394,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C34096A-12TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 3В; 0,3А; MSOP8; SMD
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 3В; 0,3А; MSOP8; SMD

62,09 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
3В
Вихідний струм:
0,3А
Недоступний
Резистор: thick film; 4,75Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,75Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
4,75Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%; ERA6ARW
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%; ERA6ARW

18,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,05%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Роз’єм: клапанний; вилка; промислова; формат А; 18мм; гніздовий
Роз’єм: клапанний; вилка; промислова; формат А; 18мм; гніздовий

874,94 грн

Alias:
MSVS-EBBN-M16
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Відповідність стандарту:
DIN 43650
Недоступний
Резистор: thin film; 36,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 36,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 32,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 32,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

164,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

127,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM