1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, паралельні

IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; SOJ36; 400mils

IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; SOJ36; 400mils
Немає в наявності
Код товару: AS7C34096A-15JCN
669,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C34096A-15JCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ36
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 15нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Резистор: thin film; 442кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 442кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,3пФ
Недоступний
Резистор: metal film; 1,2кОм; 500мВт; ±1%; MFR; -55÷155°C; 50ppm/°C
Резистор: metal film; 1,2кОм; 500мВт; ±1%; MFR; -55÷155°C; 50ppm/°C

0,00 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,4мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±1%
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20; AHC; OUT: 3-позиційний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20; AHC; OUT: 3-позиційний

19,64 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
8
Конденсатор: танталовий; low ESR; 4,7мкФ; 50ВDC; SMD; D; 2917; ±20%
Конденсатор: танталовий; low ESR; 4,7мкФ; 50ВDC; SMD; D; 2917; ±20%

110,87 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Резистор: thick film; 75кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 75кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,97 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 600В; 1,5А; Ifsm: 50А; DO15,DO204AC; 250нс
Діод: випрямний; THT; 600В; 1,5А; Ifsm: 50А; DO15,DO204AC; 250нс

6,53 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
DO15; DO204AC
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

164,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

127,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM