IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 45нс; FBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14V104LA-BA45XI
2689,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 299
Крок додавання: 299
Код товару: CY14V104LA-BA45XI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,65...1,95В DC; 3...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 43пФ; 16В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 43пФ; 16В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 180мм

7,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Захист; har-bus HM Schirmbl.Reihe z, Typ AB 22
Захист; har-bus HM Schirmbl.Reihe z, Typ AB 22

428,28 грн

Engineering PN:
har-bus HM Schirmbl. Reihe z, Typ AB 22
Тип аксесуарів для роз’ємів:
захист
Резистор: thick film; 54,9Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 54,9Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0805

2,53 грн

Alias:
C0805C102K8RAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 76,8кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Реле: електромагнітнe; 230ВAC; DPST-NO; Iконтактів max: 12А; PCB
Реле: електромагнітнe; 230ВAC; DPST-NO; Iконтактів max: 12А; PCB

734,92 грн

Конфігурація контактів:
DPST-NO
Макс. струм контактів:
12А
Модель реле:
моностабільний
Монтаж:
PCB
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM