IC: пам'ять SRAM; 512кБSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C

Немає в наявності
Код товару: 23LC512-E/SN
97,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 200
Крок додавання: 100
Код товару: 23LC512-E/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512кб SRAM
Робоча напруга: 2,5...5,5В
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Структура пам'яті: 64Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 32нс
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1506,59 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
1,25А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Недоступний
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 12ВDC; 36,18м3/г; 34,9дБА
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 12ВDC; 36,18м3/г; 34,9дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Резистор: thin film; 165кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 165кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Блок живлення: імпульсний; LED; 8Вт; 9÷42ВDC; 100÷350мА; IP20
Блок живлення: імпульсний; LED; 8Вт; 9÷42ВDC; 100÷350мА; IP20

710,21 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
9...42В DC
Вихідний струм:
100...350мА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,5пФ
Недоступний
LED; червоний/зелений/синій; SMD; PLCC4; 35/35/50мА; 112/130мВт
LED; червоний/зелений/синій; SMD; PLCC4; 35/35/50мА; 112/130мВт

11,91 грн

Голівка:
плоске
Довжина хвилі λd:
465...477,5нм; 520...535нм; 619...624нм
Кількість виводів:
4
Кількість діодів:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 511Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 511Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
511Ом
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

163,46 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8

151,42 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба

122,91 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

133,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SPI