IC: пам'ять SRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C; 400нс

Немає в наявності
Код товару: 47C04T-E/SN
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3300
Крок додавання: 3300
Код товару: 47C04T-E/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Робоча напруга: 4,5...5,5В
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 3300шт.
Структура пам'яті: 512x8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 400нс
Конденсатор: поліестровий; 2,2нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; R82
Конденсатор: поліестровий; 2,2нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; R82

19,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
17мм
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 35В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 35В; X7R; ±20%; SMD; 0603

2,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В

0,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 910Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
910Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0603

1,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 600А; Iвих: 5А; 0,5@max5ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 600А; Iвих: 5А; 0,5@max5ВА; 50÷60Гц

724,79 грн

Вихідний струм:
5А
Вхідний струм:
600А
Діаметр внутрішній:
50,5мм
Клас точності:
0,5 @max 5ВА
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

163,46 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8

151,42 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба

122,91 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

133,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C